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介電常數(shù)測(cè)試方法
點(diǎn)擊次數(shù):3075 更新時(shí)間:2022-10-10

相對(duì)介電常數(shù)εr可以用靜電場(chǎng)用如下方式測(cè)量:首先在兩塊極板之間為真空的時(shí)候測(cè)試電容器的電容C0。然后,用同樣的電容極板間距離但在極板間加入電介質(zhì)后測(cè)得電容Cx。然后相對(duì)介電常數(shù)可以用下式計(jì)算

εr=Cx/C0

在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下,不含二氧化碳的干燥空氣的相對(duì)電容率εr=1.00053。因此,用這種電極構(gòu)形在空氣中的電容Ca來(lái)代替C0來(lái)測(cè)量相對(duì)電容率εr時(shí),也有足夠的準(zhǔn)確度。(參考GB/T 1409-2006)

對(duì)于時(shí)變電磁場(chǎng),物質(zhì)的介電常數(shù)和頻率相關(guān),通常稱為介電系數(shù)。


2常見(jiàn)溶劑

附常見(jiàn)溶劑的相對(duì)介電常數(shù),條件為室溫下,測(cè)試頻率為1KHz。

溫度對(duì)介電常數(shù)的影響溫度對(duì)介電常數(shù)的影響H2O (水) 78.5

HCOOH (甲酸) 58.5

HCON(CH3)2(N,N-二甲基甲酰胺)36.7

CH3OH (甲醇) 32.7

C2H5OH (乙醇) 24.5

CH3COCH3(丙酮) 20.7

n-C6H13OH (正己醇)13.3

CH3COOH (乙酸或醋酸) 6.15

C6H6(苯) 2.28

CCl4(四氯化碳) 2.24

n-C6H14(正己烷)1.88

n-C4H10(四號(hào)溶劑) 1.78

3電介質(zhì)

氣體
相對(duì)介電常數(shù)固體
相對(duì)介電常數(shù)
水蒸汽氣態(tài)溴氦氫氧氮?dú)鍤鈶B(tài)汞空氣硫化氫真空乙mi液態(tài)二氧化碳甲醇乙醇水液態(tài)氨液態(tài)氦液態(tài)氫液態(tài)氧液態(tài)氮液態(tài)氯煤油松節(jié)油苯油漆甘油
1.007851.01281.0000741.0002641.000511.000581.000561.000741.0005851.00414.3351.58533.725.781.516.21.0581.221.4652.281.92~42.22.2833.545.8固體氨固體醋酸石蠟聚苯乙烯無(wú)線電瓷超高頻瓷二氧化鋇橡膠硬橡膠紙干砂15%水濕砂(金剛石)木頭琥珀冰蟲(chóng)膠(紫膠)賽璐珞玻璃黃磷硫碳云母花崗石大理石食鹽氧化鈹聚氯乙烯
4.01~4.12.0~2.32.4~2.66~6.57~8.51062~34.32.52.5約2~82.82.83~43.34~115~104.25.5~16.56~86~88.36.27.593.1~3.5

4相關(guān)解釋

"介電常數(shù)" 在工具書(shū)中的解釋:

1.又稱電容率或相對(duì)電容率,表征電介質(zhì)或絕緣材料電性能的一個(gè)重要數(shù)據(jù),常用ε表示。它是指在同一電容器中用同一物質(zhì)為電介質(zhì)和真空時(shí)的電容的比值,表示電介質(zhì)在電場(chǎng)中貯存靜電能的相對(duì)能力。空氣和CS2的ε值分別為1.0006和2.6左右,而水的ε值較大,10℃時(shí)為 83.83。

2.介電常數(shù)是物質(zhì)相對(duì)于真空來(lái)說(shuō)增加電容器電容能力的度量。介電常數(shù)隨分子偶極矩和可極化性的增大而增大。在化學(xué)中,介電常數(shù)是溶劑的一個(gè)重要性質(zhì),它表征溶劑對(duì)溶質(zhì)分子溶劑化以及隔開(kāi)離子的能力。介電常數(shù)大的溶劑,有較大隔開(kāi)離子的能力,同時(shí)也具有較強(qiáng)的溶劑化能力。介電常數(shù)用ε表示,一些常用溶劑的介電常數(shù)見(jiàn)下表:

"介電常數(shù)" 在學(xué)術(shù)文獻(xiàn)中的解釋:

1.介電常數(shù)是指物質(zhì)保持電荷的能力,損耗因數(shù)是指由于物質(zhì)的分散程度使能量損失的大小。理想的物質(zhì)的兩項(xiàng)參數(shù)值較小。

介電常數(shù)與頻率變化的關(guān)系介電常數(shù)與頻率變化的關(guān)系其介質(zhì)常數(shù)具有復(fù)數(shù)形式,實(shí)數(shù)部分稱為介電常數(shù),虛數(shù)部分稱為損耗因子。通常用損耗角的正切值tanθ(損耗因子與介電常數(shù)之比)來(lái)表示材料與微波的耦合能力,損耗正切值越大,材料與微波的耦合能力就越強(qiáng)。

3.介電常數(shù)是指在同一電容器中用某一物質(zhì)為電介質(zhì)與該電容器在真空中的電容的比值。在高頻線路中信號(hào)傳播速度的公式如下:V=K。

4.為簡(jiǎn)單起見(jiàn),后面將相對(duì)介電常數(shù)均稱為介電常數(shù)。反射脈沖信號(hào)的強(qiáng)度,與界面的波反射系數(shù)和透射波的衰減系數(shù)有關(guān),主要取決于周圍介質(zhì)與反射體的電導(dǎo)率和介電常數(shù)。

5應(yīng)用

低介電常數(shù)薄膜機(jī)械性質(zhì)量測(cè)結(jié)果低介電常數(shù)薄膜機(jī)械性質(zhì)量測(cè)結(jié)果近十年來(lái),半導(dǎo)體工業(yè)界對(duì)低介電常數(shù)材料的研究日益增多,材料的種類也五花八門。然而這些低介電常數(shù)材料能夠在集成電路生產(chǎn)工藝中應(yīng)用的速度卻遠(yuǎn)沒(méi)有人們想象的那么快。其主要原因是許多低介電常數(shù)材料并不能滿足集成電路工藝應(yīng)用的要求。圖2是不同時(shí)期半導(dǎo)體工業(yè)界預(yù)計(jì)低介電常數(shù)材料在集成電路工藝中應(yīng)用的前景預(yù)測(cè)。

早在1997年,人們就認(rèn)為在2003年,集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數(shù)(k值)將達(dá)到1.5。然而隨著時(shí)間的推移,這種樂(lè)觀的估計(jì)被不斷更新。到2003年,國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)規(guī)劃(ITRS 2003[7])給出低介電常數(shù)材料在集成電路未來(lái)幾年的應(yīng)用,其介電常數(shù)范圍已經(jīng)變成2.7~3.1。

造成人們的預(yù)計(jì)與現(xiàn)實(shí)如此大差異的原因是,在集成電路工藝中,低介電常數(shù)材料必須滿足諸多條件,例如:足夠的機(jī)械強(qiáng)度(MECHANICAL strength)以支撐多層連線的架構(gòu)、高楊氏系數(shù)(Young's modulus)、高擊穿電壓(breakdown voltage>4MV/cm)、低漏電(leakage current<10-9 at 1MV/cm)、高熱穩(wěn)定性(thermal stability >450oC)、良好的粘合強(qiáng)度(adhesion strength)、低吸水性(low moisture uptake)、低薄膜應(yīng)力(low film stress)、高平坦化能力(planarization)、低熱漲系數(shù)(coefficient of thermal expansion)以及與化學(xué)機(jī)械拋光工藝的兼容性(compatibility with CMP process)等等。能夠滿足上述特性的低介電常數(shù)材料并不容易獲得。例如,薄膜的介電常數(shù)與熱傳導(dǎo)系數(shù)往往就呈反比關(guān)系。因此,低介電常數(shù)材料本身的特性就直接影響到工藝集成的難易度。

在超大規(guī)模集成電路制造商中,TSMC、 Motorola、AMD以及NEC等許多公司為了開(kāi)發(fā)90nm及其以下技術(shù)的研究,先后選用了應(yīng)用材料公司(Applied Materials)的Black Diamond 作為低介電常數(shù)材料。該材料采用PE-CVD技術(shù)[8] ,與現(xiàn)有集成電路生產(chǎn)工藝*融合,并且引入BLOk薄膜作為低介電常數(shù)材料與金屬間的隔離層,很好的解決了上述提及的諸多問(wèn)題,是已經(jīng)用于集成電路商業(yè)化生產(chǎn)為數(shù)不多的低介電常數(shù)材料之一。


1-1電橋簡(jiǎn)介:

    高壓電橋是本公司推出的新一代高壓電橋,主要用于測(cè)量工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損耗(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。符合GB14091693GB5654,其采用了西林電橋的經(jīng)典線路,內(nèi)附0-5000的數(shù)顯高壓電源及100PF標(biāo)準(zhǔn)電容器,并可按用戶要求擴(kuò)裝外接標(biāo)準(zhǔn)電容線路。

 

1-2電橋的特點(diǎn);

 l橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指零儀,外圍接線及少。

l電橋采用接觸電阻小,機(jī)械壽命長(zhǎng)的十進(jìn)開(kāi)關(guān),保證測(cè)量的穩(wěn)定性

l儀器具有雙屏蔽,能有效防止外部電磁場(chǎng)的干擾。

l儀器內(nèi)部電阻及電容元件經(jīng)特殊老化處理,使儀器技術(shù)性能穩(wěn)定可靠。

l內(nèi)附高壓電源精度3%

l內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容損耗﹤0.00005,名義值100pF

一、        技術(shù)指標(biāo)

2-1測(cè)量范圍及誤差

本電橋的環(huán)境溫度為20±5,相對(duì)濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。

Cn=100 pF      R4=3183.2(Ω)時(shí)

測(cè)量項(xiàng)目

測(cè)量范圍

測(cè)量誤差

電容量Cx

40pF20000pF

±0.5%  Cx±2pF

介損損耗tgδ

0-1

±1.0%  tgδx±0.00005

Cn=100 pF    R4=318.3(Ω)時(shí)

測(cè)量項(xiàng)目

測(cè)量范圍

測(cè)量誤差

電容量Cx

4pF2000pF

±0.5%  Cx±2pF

介損損耗tgδ

0-0.1

±1.0%  tgδx±0.00005

 

2-2電橋測(cè)量靈敏度

    電橋在使用過(guò)程中,靈敏度直接影響電橋平穩(wěn)衡的分辨程度,為保證測(cè)量準(zhǔn)確度,希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。

    在下面的計(jì)算公式中,用戶可根據(jù)實(shí)際情況估算出電橋靈敏度水平,在這個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。

     ΔC/CΔtgδ=Ig/UωCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)

式中: U 為測(cè)量電壓                              伏特  (V)

      ω為角頻率2πf=314(50Hz)                              

     Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                          法拉(F)

     Ig通用指零儀的電流5×10-10                  安培(A) 

     Rg平衡指零儀內(nèi)阻約1500                    歐姆(Ω)

     R4橋臂R4阻值3183                         歐姆(Ω)

     Cx被測(cè)試品電容值                           法拉(pF)

2-3工作電壓說(shuō)明

在使用中,本電橋頂A,B對(duì)V點(diǎn)的電壓最高不超過(guò)11V,R3橋臂各盤(pán)的電流不超過(guò)下列規(guī)定:

10×1kΩ                             1max≤15mA

10×100Ω                            1max≤120mA

10×10Ω                             l max≤150mA

用戶在使用前應(yīng)注意以上的問(wèn)題。如不清楚,可根據(jù)實(shí)驗(yàn)電壓及標(biāo)準(zhǔn)電容量,按以下公式來(lái)計(jì)算出大概的工作電流。

                    I=ω V C 

2-4輔橋的技術(shù)特性:

不失真跟蹤電壓011V(有效值)

2-5指零裝置的技術(shù)特性:

50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1×10-6V/

                電流靈敏度不低于2×10-9 A/

二次諧波 減不小于25dB

三次諧波 減不小于50dB

二、        電橋工作原理

 高壓電橋采用典型的西林電橋線路。C4橋臂在基本量程時(shí),與R4橋臂并聯(lián),測(cè)量數(shù)值為正損耗因數(shù)。結(jié)構(gòu)采用了雙層屏蔽。并通過(guò)輔橋的輔助平衡,消除寄生參數(shù)對(duì)電橋平衡的影響。輔橋由電位自動(dòng)電位跟蹤器與內(nèi)層屏蔽(S)組成。自動(dòng)跟蹤器由電子元器件組成。它在橋頂B處取一輸入電壓,通過(guò)放大后,在內(nèi)屏蔽(S)產(chǎn)生一個(gè)與B電位相等的電壓。當(dāng)電橋在平衡時(shí),A,B,S三點(diǎn)電位必然相等,從而達(dá)到自動(dòng)跟蹤的目的。本電橋在平衡過(guò)程中,輔橋采用自動(dòng)電位跟蹤,在主橋平衡過(guò)程的同時(shí),輔橋也自動(dòng)跟蹤始終處于平衡的狀態(tài),用戶只要對(duì)主橋平衡進(jìn)行操作就能得到可靠的所需數(shù)據(jù)。同時(shí)也有效的抑制了電壓波動(dòng)對(duì)平衡所帶來(lái)的影響。在指零部分,采用了指針式電表指示,視覺(jué)直觀,分辨清楚,克服了以往振動(dòng)式檢流計(jì)的缺點(diǎn)。

 

 

 

 

 

 

3-1 橋體的組成

電橋各臂的組成

第一臂:由被測(cè)對(duì)象Cx組成Z1。

第二臂:由高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器Cn組成Z2。

第三臂:由十進(jìn)電阻器10×10001001010.1)歐姆和滑線電阻(0-0.13)歐姆組成Z3。

第四臂:由十進(jìn)電容臂10×0.10.010.0010.0001uf和可變電容器100pF組成C4再與電組R4并聯(lián)組成Z4

 

3-2計(jì)算公式

Cx=R4×  Cn / R3    R4[Ω]  R3[Ω]  Cn[pF]  Cx[pF]

tgδ=ω·R4·C4     R4[Ω]  C4[F]

當(dāng)R4=10K/π

tgδ=C4     

當(dāng)R4=1K/π

tgδ=0.1C4  

我們采取相對(duì)固定R4電阻,分別調(diào)節(jié)R3C4使橋跟平衡,從而測(cè)得試品的電容值Cx和介質(zhì)損耗tg。本電橋?yàn)榱酥弊x出損耗值,取電阻R4的阻值為角頻率(f=50Hz)若干倍。

3-3 公式說(shuō)明

.頻率對(duì)介質(zhì)損耗正公式:

本電橋額定的工作頻率f=50Hz,在實(shí)際工作頻率偏離額定頻率時(shí)可用修正式進(jìn)行修正:

tg=f·tgδ / f

式中:f    為額定工作頻率(f=50Hz

f’   為實(shí)際工作頻率

tgδ  電橋測(cè)得損耗值

tg   為被測(cè)試品介質(zhì)損耗角正切的實(shí)際值

四、安全操作規(guī)程

1.      本儀器必須有專人負(fù)責(zé)保管,使用,非專職操作者應(yīng)在使用前了解和熟悉本說(shuō)明書(shū),以免造成不必要的損失和事故。

2.      每次使用前應(yīng)仔細(xì)檢查接地線是否完好,確保以后方可通電使用。

3.      接通電源前應(yīng)將靈敏度開(kāi)關(guān)調(diào)到zui低位置。

4.      測(cè)量試品前應(yīng)先對(duì)試品進(jìn)行高壓試驗(yàn),證明在電橋工作電壓下無(wú)噪聲,電離等現(xiàn)象出現(xiàn),然后才能進(jìn)行測(cè)試(若試品己做過(guò)高壓試驗(yàn),該項(xiàng)可不必每次測(cè)量都做)。

5.      對(duì)試品施加高壓時(shí)緩慢升高,不可以加突變電壓。

6.      測(cè)試時(shí)操作人員必須集中思想,工作前做好一切準(zhǔn)備工作,測(cè)試地點(diǎn)周圍應(yīng)有明顯的標(biāo)記或金屬屏蔽圍成高壓危險(xiǎn)區(qū),以防止非操作人員闖入。

7.      在測(cè)量過(guò)程中,如有放電管發(fā)光時(shí),則必須及時(shí)切斷電源,仔細(xì)檢查接線及試品都無(wú)擊穿,待檢查排除故障后,再進(jìn)行高壓測(cè)量工作。

五.操作方法

5.1 測(cè)試前的準(zhǔn)備工作

按圖(3)所示,連接標(biāo)準(zhǔn)電容Cn(選用外接標(biāo)準(zhǔn)電容時(shí)背后Cn開(kāi)關(guān)放在OUT位置),連接被測(cè)電容Cx,并且將標(biāo)準(zhǔn)電容與被測(cè)電容盡可能遠(yuǎn)離,以防止互相之間干擾,選用外接方式時(shí),只需打開(kāi)電源總開(kāi)關(guān)即可,不能啟動(dòng)自帶的高壓。如選用內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)電容器(背后Cn開(kāi)關(guān)放在IN位置),只需連接被測(cè)試品即可。

檢查周圍是否有強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾,應(yīng)盡量避免。

檢查大地線是否牢靠,以保證操作人員的安全,應(yīng)檢查電橋上的()與大地是否接觸良好。

檢查電橋的靈敏度開(kāi)關(guān)是否已回另位。

檢查試品的絕緣強(qiáng)度,應(yīng)符合大于2U+1的標(biāo)準(zhǔn)。

對(duì)試品施加試驗(yàn)電壓(按部標(biāo)或國(guó)際所規(guī)定的專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行)。

 

5.2 試品的測(cè)試

在不知道被測(cè)試品的大概容量及損耗時(shí),可先施加少許的電壓,找到粗平衡點(diǎn)后,再把工作電壓升到所需的值,然后再尋找細(xì)平衡點(diǎn)。

在測(cè)量時(shí),靈敏度開(kāi)關(guān)是按從小到大的規(guī)律來(lái)調(diào)節(jié)的。

在測(cè)量時(shí),R3開(kāi)關(guān)時(shí)按從左至右的規(guī)律來(lái)調(diào)節(jié)的。

在測(cè)量時(shí),C4開(kāi)關(guān)時(shí)按從右至左的規(guī)律來(lái)調(diào)節(jié)的。

整個(gè)測(cè)量步絮:首先檢查接線無(wú)誤后,方可通電試驗(yàn)。第二升起試驗(yàn)電壓,并調(diào)節(jié)靈敏度開(kāi)關(guān),使UA表頭有明顯的指示。此時(shí)表明電橋沒(méi)有平衡。第三調(diào)節(jié)R3開(kāi)關(guān),順序從左至右。這時(shí)通過(guò)觀察表頭來(lái)觀察電橋的平衡狀況。如表頭已回另,可再加大靈敏度。應(yīng)總保持能明顯地觀察到調(diào)節(jié)R3時(shí),電橋的平衡狀況。第四在某一點(diǎn)上用戶會(huì)發(fā)現(xiàn),調(diào)節(jié)R3已無(wú)法使表頭再回到另位。這時(shí)可調(diào)節(jié)C4開(kāi)關(guān),順序時(shí)從右至左,把表頭指針調(diào)節(jié)到最小位。第五用戶在調(diào)節(jié)C4到某一點(diǎn)時(shí)又會(huì)發(fā)現(xiàn)無(wú)法將指針調(diào)回另位。這時(shí)又要去調(diào)節(jié)R3開(kāi)關(guān),調(diào)節(jié)的位數(shù)是上一次調(diào)節(jié)R3的最后位,然后又會(huì)出現(xiàn)第四點(diǎn)時(shí)的問(wèn)題,又必須要調(diào)節(jié)C4開(kāi)關(guān)...就這樣來(lái)回往復(fù)地調(diào)節(jié)R3C4兩組開(kāi)關(guān),直至靈敏度開(kāi)關(guān)最大時(shí),并指針回另(或指另儀指示到最?。?。表明電橋已達(dá)到平衡。

 測(cè)量完畢后或在暫停測(cè)量時(shí),應(yīng)將另儀的靈敏度開(kāi)關(guān)降至“0",再將測(cè)量電壓降至另并切斷電源開(kāi)關(guān),根據(jù)計(jì)算公式,算出被測(cè)試品的容量及介損值。

 

 






 


 

 

 

 

 

 

 


五、裝置成套性

1.高壓電橋                                    一臺(tái)                 

3.雙屏蔽測(cè)量電纜                              一根

4.使用說(shuō)明書(shū)                                  一份

5.電源線                                      一根